B11G2327N71DYZ RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: B11G2327N71D B11G2327N71DYZ B11G2327N71DXZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

B11G2327N71D adalah MMIC Doherty terintegrasi 2 tahap LDMOS

Model: B11G2327N71DYZ (Model Dasar: B11G2327N71D)

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: LDMOS 2-Tahap Terintegrasi Doherty Monolitik Microwave Integrated Circuit (MMIC) Power Amplifier (Pembawa Independen dan Kontrol Bias Puncak)

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 2700 MHz (2.3–2.7 GHz)
Peak Output Power (3dB Compression)	48.0–49.5 dBm (approximately 63–89 W), typical 49 dBm (approximately 79.4 W)
Linear Output Power (PL=5W/37dBm)	Power Gain: 27.5–33.5 dB, typical 30.0 dB
Drain Efficiency (PL=5W/37dBm)	16–22 %, typical 19 %
Drain Efficiency (3dB Compression)	46–54 %, typical 50 %
Supply Voltage (VDS)	28 V (Standard) / 65 V (Maximum Rating)
Quiescent Current (IDq)	Carrier Path: 200 mA; Peaking Path: 100 mA (Typical)
Package	36-PQFN (12×7 mm), Leadless Plastic Package with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Internal Structure	Dual-path 2-stage fully integrated design, including carrier and peaking devices, input splitter, output combiner, and pre-match network

Fitur & Manfaat

Arsitektur Doherty yang Terintegrasi Sepenuhnya: Memanfaatkan teknologi LDMOS Ampleon yang canggih, mengintegrasikan semua komponen utama penguat daya Doherty ke dalam satu chip, secara signifikan menyederhanakan desain front-end RF stasiun pangkalan dan mengurangi biaya pengembangan dan waktu pemasaran.
Kontrol Bias Independen: Mendukung penyesuaian bias terpisah untuk jalur pembawa dan puncak, mengoptimalkan keseimbangan antara linearitas dan efisiensi dalam kondisi sinyal yang berbeda, cocok untuk sinyal 5G NR Rasio Daya Puncak ke Rata-Rata (PAPR) yang tinggi.
Performa Linearitas Luar Biasa: Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) sebesar -46,2 dBc (tipikal) pada offset 5 MHz, memenuhi persyaratan kualitas sinyal yang ketat untuk BTS 5G/4G dan mengurangi kompleksitas Digital Pre-Distortion (DPD).
Kepadatan & Efisiensi Daya Tinggi: Memberikan penguatan dan efisiensi tinggi di seluruh rentang frekuensi 2,3–2,7 GHz, dengan efisiensi pengurasan tipikal sebesar 50% pada kompresi 3dB, mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalan dan meningkatkan keandalan sistem.
Kisaran Tegangan Pengoperasian yang Luas: Mendukung tegangan suplai standar 28V dengan peringkat maksimum 65V, beradaptasi dengan persyaratan desain sistem tenaga stasiun pangkalan yang berbeda.
Paket Termal Efisiensi Tinggi: Paket PQFN 12×7 mm dengan bantalan terbuka besar memberikan konduktivitas termal yang sangat baik, memastikan pengoperasian yang stabil dalam kondisi beban tinggi.
Sesuai RoHS: Memenuhi persyaratan arahan RoHS untuk aplikasi pasar global.

Aplikasi

Tahapan Driver Penguat Daya RF untuk Pemancar Makro/Mikro 5G NR (pita 2,3–2,7 GHz, misalnya TD-LTE, 5G NR n41/n78)
Modul Penguat Daya Stasiun Pangkalan 4G LTE Multi-band (2300–2700 MHz)
Unit Amplifikasi Daya dalam Sistem Massive MIMO (mMIMO).
Sistem Pemancar Komunikasi Multi-Carrier (misalnya W-CDMA, LTE-A Pro)
Infrastruktur Komunikasi Nirkabel Broadband (misalnya CBRS, C-Band)
Industrial Internet of Things (IIoT) dan Sistem Komunikasi Jaringan Pribadi (misalnya, 5G-Industri)

Produk panas