BLM9D2527-09AMZ Transistor LDMOS Daya

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLM9D2527-09AM BLM9D2527-09AMZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

MMIC Doherty 2 Tahap

Model: BLM9D2527-09AMZ (Model Standar: BLM9D2527-09AM, Z menunjukkan Kemasan Tape & Reel)

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: Amplifier Daya RF Doherty MMIC 2 Tahap 28V LDMOS Generasi ke-9 (Dioptimalkan untuk Aplikasi Tahap Driver Sel Kecil dan Stasiun Pangkalan Makro 2,496–2,7 GHz)

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	2496 MHz to 2700 MHz (2.496–2.7 GHz), covering 5G NR n78/n79 and other key bands
Peak Output Power (P3dB)	9 W (Typical, 39.5 dBm), in Doherty Configuration
Typical Power Gain	26.5 dB (Typical, 2-stage amplification)
Typical Drain Efficiency	45%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance)
Supply Voltage (VDS)	28 V (Standard), Maximum Rated Voltage 40 V
Quiescent Drain Current (IDq)	120 mA (Typical)
Package Type	20-pin LGA (7×7×0.98 mm), Surface Mount, with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Special Features	Fully integrated Doherty architecture, built-in carrier/peaking devices, input splitter and output combiner, 50-ohm input/output impedance, no additional matching network required
Linearity Performance	Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction
Operating Temperature Range	-40°C to +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)

Fitur & Manfaat

Desain MMIC Doherty Terintegrasi Sepenuhnya: arsitektur amplifikasi 2 tahap dengan perangkat pembawa/puncak bawaan, pembagi masukan dan penggabung keluaran, menyediakan solusi chip tunggal yang secara signifikan menyederhanakan desain PCB dan mengurangi kompleksitas sistem dan biaya.
Teknologi LDMOS Generasi ke-9: Memanfaatkan proses LDMOS 28V generasi ke-9 yang terdepan di industri dari Ampleon untuk menyeimbangkan perolehan daya dan efisiensi yang tinggi pada rentang frekuensi 2.496–2.7 GHz, ideal untuk aplikasi stasiun pangkalan multi-band 5G NR.
Kinerja Pra-Distorsi Digital (DPD) yang Luar Biasa: Dioptimalkan untuk sinyal 5G NR, memungkinkan linearitas superior setelah koreksi DPD untuk memenuhi persyaratan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang ketat untuk stasiun pangkalan dan mengurangi kompleksitas desain sistem.
Penguatan Daya Tinggi: Penguatan daya tipikal sebesar 26,5 dB memungkinkan pengendaraan sinyal kecil mencapai daya keluaran 9W, mengurangi jumlah tahapan pra-pengemudi dan menyederhanakan desain sistem.
Desain Impedansi Rendah: Impedansi input/output 50 ohm memungkinkan koneksi langsung ke saluran transmisi standar tanpa jaringan pencocokan tambahan, sehingga memperpendek siklus pengembangan.
Paket Termal Efisiensi Tinggi: Paket LGA 7×7 mm dengan bantalan terbuka besar memberikan konduktivitas termal yang sangat baik dengan ketahanan termal rendah, memastikan pengoperasian yang stabil dalam kondisi beban tinggi.
Keandalan Tinggi: Suhu persimpangan maksimum 175°C dan rentang suhu pengoperasian yang luas (-40°C hingga +125°C) memenuhi standar keandalan tingkat industri, sehingga memperpanjang masa pakai perangkat.
Sesuai RoHS: Memenuhi persyaratan arahan RoHS untuk aplikasi pasar global.

Aplikasi

Penguat Daya RF untuk Pemancar Kecil/Mikro 5G NR (pita 2,496–2,7 GHz, misalnya, n78/n79)
Tahapan Driver untuk Modul Amplifier Daya Stasiun Pangkalan Makro 5G NR (2496–2700 MHz)
Unit Amplifikasi Daya dalam Sistem Massive MIMO (mMIMO).
Sistem Pemancar Komunikasi Multi-Carrier (misalnya W-CDMA, LTE-A Pro)
Infrastruktur Komunikasi Nirkabel Broadband (misalnya, C-Band, 5G-Advanced)
Industrial Internet of Things (IIoT) dan Sistem Komunikasi Jaringan Pribadi (misalnya, 5G-Industri)
Aplikasi Amplifikasi Daya RF Tujuan Umum (pita 2,5–2,7 GHz)

Produk panas