Penguat daya RF BLM10D2327-40ABZ

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLM10D2327-40ABZ BLM10D2327-40AB

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

BLM10D2327-40AB LDMOS 2 tahap Doherty MMIC terintegrasi

Model: BLM10D2327-40ABZ

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: Amplifier Daya RF Doherty MMIC Doherty MMIC Asimetris 2 tahap 28V LDMOS Generasi ke-10, dioptimalkan untuk sel kecil pita 2,5–2,7GHz 5G NR n78 dan aplikasi MIMO masif

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	2500 MHz ~ 2700 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band)
Peak Output Power	40W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration (45.7dBm typical)
Typical Power Gain	28.9 dB (Doherty operation mode, at 37.6dBm average output power)
Typical Drain Efficiency	44.5% (at 8.7dB OBO, 1-carrier LTE 20MHz signal)
Supply Voltage	28V nominal, Maximum Rated Voltage 65V
Quiescent Current	45 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type	20-PQFN (SOT1462-1), 8x8x2.1mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input, 20Ω output pre-match, simplifying external matching design
Architecture	Fully integrated asymmetric Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier and peaking amplifier paths
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 3.6 K/W (at PL=5.75W)

Fitur & Manfaat

Mengadopsi proses canggih LDMOS generasi ke-10 Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya output tinggi 40W dan efisiensi tinggi 44,5%, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR tinggi 5G.
Arsitektur Doherty asimetris yang dioptimalkan memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang luar biasa serendah -39,1dBc setelah DPD, memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk BTS 5G.
Desain terintegrasi penuh (pembagi internal, penggabung, jaringan pra-pertandingan) sangat menyederhanakan desain PCB RF dan mempercepat waktu pemasaran sel kecil.
Kontrol independen terhadap bias pembawa dan peaking memungkinkan optimalisasi linearitas dan kinerja efisiensi yang fleksibel dalam kondisi pengoperasian yang berbeda.
Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi (CDM Kelas C3, HBM Kelas 1C) meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, sehingga mengurangi risiko kerusakan.
Toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, sehingga meningkatkan ketahanan sistem.
Kerataan gain lebar (hanya 0,5dB dalam pita 2515-2675MHz), cocok untuk sistem komunikasi broadband multi-carrier.
Sesuai RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G global.

Aplikasi

Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G NR n78 band (2,5-2,7GHz)
Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan MIMO (mMIMO) yang masif
Stasiun pangkalan komunikasi agregasi multi-operator (CA) 4G/5G
Sistem transmisi RF untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT)
Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabel
Peralatan komunikasi yang kompatibel dengan multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR).

Produk panas