Transistor MOSFET RF BLM9D2327S-50PBG

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLM9D2327S-50PB BLM9D2327S-50PBG

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

BLM9D2327S-50PBG LDMOS Doherty MMIC terintegrasi 2 tahap

Model: BLM9D2327S-50PBG

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: LDMOS 28V Generasi ke-9 Bagian Ganda 2 tahap Asimetris Terintegrasi Sepenuhnya Doherty MMIC RF Power Amplifier, dioptimalkan untuk pita 2,3–2,7GHz (mencakup 5G NR n78 dan 4G LTE Band 40/41) sel kecil dan aplikasi MIMO masif

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz ~ 2700 MHz (Fully covers 5G NR n78 core band and 4G mainstream bands)
Peak Output Power	50W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration (47.0dBm typical)
Typical Power Gain	29.0 dB (Doherty operation mode, up to 29.3dB at 2700MHz)
Typical Drain Efficiency	45% (at 8.5dB OBO, 1-carrier LTE 20MHz signal)
Supply Voltage	28V nominal, Maximum Rated Voltage 65V
Quiescent Current	50 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type	SOT502 (OMP-780-16G-1), 16-pin surface mount package with high-efficiency thermal pad
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input, 20Ω output pre-match, simplifying external matching design
Architecture	Dual-section fully integrated asymmetric Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier and peaking amplifier paths
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 3.5 K/W (at PL=6.25W)

Fitur & Manfaat

Mengadopsi proses canggih LDMOS generasi ke-9 Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya output tinggi 50W dan efisiensi tinggi 45%, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR tinggi 5G.
Desain dua bagian mendukung pengoperasian saluran ganda independen dengan isolasi antar saluran yang tinggi, sangat cocok untuk aplikasi sistem MIMO yang masif.
Arsitektur Doherty asimetris yang dioptimalkan memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang luar biasa serendah -40dBc setelah DPD, memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk BTS 5G.
Desain terintegrasi penuh (pembagi internal, penggabung, jaringan pra-pertandingan) sangat menyederhanakan desain PCB RF dan mempercepat waktu pemasaran sel kecil.
Kontrol independen terhadap bias pembawa dan peaking memungkinkan optimalisasi linearitas dan kinerja efisiensi yang fleksibel dalam kondisi pengoperasian yang berbeda.
Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi (CDM Kelas C3, HBM Kelas 1C) meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, sehingga mengurangi risiko kerusakan.
Toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, sehingga meningkatkan ketahanan sistem.
Kerataan gain yang lebar (hanya 0,8dB dalam pita 2300-2700MHz), cocok untuk sistem komunikasi broadband multi-carrier.
Sesuai RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G global.

Aplikasi

Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G NR n78 band (2,5-2,7GHz)
Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan MIMO (mMIMO) masif, mendukung operasi saluran ganda independen
Stasiun basis komunikasi 4G LTE Band 40/41 (2.3-2.4GHz/2.5-2.6GHz)
Sistem komunikasi agregasi multi-operator (CA) 4G/5G
Sistem transmisi RF untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT)
Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabel
Peralatan komunikasi yang kompatibel dengan multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR).

Produk panas