Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> Penguat Daya RF BLM9D2327-26BZ
Penguat Daya RF BLM9D2327-26BZ
Penguat Daya RF BLM9D2327-26BZ
Penguat Daya RF BLM9D2327-26BZ
Penguat Daya RF BLM9D2327-26BZ
Penguat Daya RF BLM9D2327-26BZ
Penguat Daya RF BLM9D2327-26BZ
Penguat Daya RF BLM9D2327-26BZ

Penguat Daya RF BLM9D2327-26BZ

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLM9D2327-26B BLM9D2327-26BZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
BLM9D2327-26B LDMOS 2 tahap Doherty MMIC terintegrasi
Model: BLM9D2327-26BZ
Pabrikan: Ampeon
Jenis Produk: Amplifier Daya RF Doherty MMIC Doherty Asimetris 2 tahap 28V LDMOS Generasi ke-9, dioptimalkan untuk pita 2,3–2,7GHz (mencakup 5G NR n78 dan 4G LTE Band 40/41) aplikasi driver sel kecil dan keperluan umumAmpleon

Spesifikasi Utama

Parameter Specification
Frequency Range 2300 MHz ~ 2700 MHz (Fully covers 5G NR n78 core band and 4G mainstream bands)Ampleon
Peak Output Power 26W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration (44.8dBm typical)Ampleon
Typical Power Gain 27.9 dB (Doherty operation mode, at 36.9dBm average output power)Ampleon
Typical Drain Efficiency 41.1% (at 8dB OBO, 1-carrier LTE 20MHz signal, 2500MHz)Ampleon
Supply Voltage 28V nominal, Maximum Rated Voltage 65VAmpleon
Quiescent Current 75 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.98V)Ampleon
Package Type 20-PQFN (SOT1462-1), 8x8x2.1mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal padAmpleon
Port Characteristics Internally matched to 50Ω input, pre-matched output network, simplifying external matching designAmpleon
Architecture Fully integrated asymmetric Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier and peaking amplifier pathsAmpleon
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C)Ampleon
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 3.23 K/W (at PL=5W, 1-carrier W-CDMA signal)Ampleon
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases, improving system robustnessAmpleon
Gain Flatness Only 0.86dB within 2300-2700MHz band, suitable for multi-carrier broadband communication systemsAmpleon
ESD Protection CDM Class C2A (500V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliabilityAmpleon

Fitur & Manfaat

  • Mengadopsi proses canggih LDMOS generasi ke-9 Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya output tinggi 26W dan efisiensi tinggi 41,1%, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR tinggi 5G (PAR=7,2dB)Ampleon.
  • Arsitektur Doherty asimetris yang dioptimalkan memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang luar biasa serendah -38,6dBc setelah DPD, memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk base station 5GAmpleon.
  • Desain terintegrasi penuh (pembagi bawaan, penggabung, jaringan pra-pertandingan) sangat menyederhanakan desain PCB RF dan mempercepat waktu-ke-pasar sel kecilAmpleon.
  • Kontrol independen terhadap bias pembawa dan peaking memungkinkan optimalisasi linearitas dan kinerja efisiensi yang fleksibel dalam kondisi pengoperasian yang berbeda, cocok untuk sistem komunikasi multi-standarAmpleon.
  • Toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, meningkatkan ketahanan sistem di lingkungan yang kompleksAmpleon.
  • Kerataan gain lebar (hanya 0,86dB dalam pita 2300-2700MHz), cocok untuk sistem komunikasi broadband multi-carrier, mengurangi kebutuhan sirkuit pemerataan eksternalAmpleon.
  • Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, mengurangi risiko kerusakan elektrostatisAmpleon.
  • Paket PQFN yang ditingkatkan secara termal dengan ketahanan termal sambungan-ke-kotak serendah 3,23 K/W, secara efektif meningkatkan kinerja pembuangan panas dan memperpanjang masa pakai perangkatAmpleon.
  • Sesuai RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G globalAmpleon.

Aplikasi

  • Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G NR n78 band (2,5-2,7GHz)Ampleon
  • Stasiun basis komunikasi 4G LTE Band 40/41 (2.3-2.4GHz/2.5-2.6GHz)
  • Amplifier driver serba guna untuk sistem komunikasi agregasi multi-carrier (CA)Ampleon
  • Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan MIMO masif (mMIMO)Ampleon
  • Sistem transmisi RF untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT)
  • Peralatan komunikasi yang kompatibel dengan multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR)Ampleon
  • Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabelAmpleon
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> Penguat Daya RF BLM9D2327-26BZ
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim