C4H27F400AV 400W daya keluaran tinggi, perolehan tinggi

Fitur Utama

• Performa RF: Beroperasi pada 2496–2690MHz, menghasilkan daya keluaran tipikal 400W (56dBm) dengan penguatan tipikal ≥14,5dB, tegangan pengurasan 48V (maks 65V), efisiensi pengurasan tipikal ≥55%, mendukung linearisasi multi-carrier dan DPD dengan linearitas luar biasa, memenuhi standar komunikasi ketat 5G NR.
• Arsitektur Doherty Asimetris: Desain Doherty asimetris bawaan dengan transistor pembawa dan peaking, dioptimalkan untuk kinerja dan efisiensi broadband, menghilangkan jaringan penggabungan eksternal yang kompleks, menyederhanakan desain PA stasiun pangkalan.
• Keunggulan GaN: Berdasarkan teknologi GaN berkinerja tinggi dari Ampleon, menampilkan tegangan tembus tinggi dan mobilitas elektron tinggi, kepadatan daya 30% lebih tinggi dibandingkan LDMOS tradisional, stabilitas termal yang sangat baik dengan ketahanan termal sambungan-ke-kotak yang rendah.
• Keandalan & Perlindungan: Perlindungan ESD terintegrasi, tahan terhadap suhu persimpangan tinggi dan ketidaksesuaian beban ekstrem, paket pemasangan flensa memberikan kinerja termal yang unggul, mendukung mode gelombang kontinu (CW) dan pulsa, sesuai dengan RoHS.

Aplikasi Khas

• Penguat daya tahap akhir stasiun pangkalan makro 5G NR pita tengah (2,5–2,7GHz).
• Modul amplifikasi daya tinggi pemancar RF sistem MIMO besar-besaran
• Solusi amplifikasi daya Doherty berefisiensi tinggi untuk sistem komunikasi multi-operator LTE/5G NR
• Front-end RF infrastruktur komunikasi nirkabel 2,5–2,7GHz
• Pemancar TV dan aplikasi RF industri (pita ISM)