Transistor Daya RF Gallium Nitrida C4H2327N110AZ

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: C4H2327N110A C4H2327N110AZ C4H2327N110AY

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Model: C4H2327N110A (Nomor Bagian Lengkap: C4H2327N110AX/C4H2327N110AZ)

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: Transistor Daya RF Gallium Nitrida (GaN) (Arsitektur Doherty, Desain Gerbang Ganda)Ampleon

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 2700 MHz (2.3–2.7 GHz)
Peak Output Power (3dB Compression)	100 W (Continuous Wave, CW mode)
Typical Power Gain	15 dB
Typical Drain Efficiency	57 %
Supply Voltage (VDS)	50 V
Quiescent Drain Current (IDq)	50 mA
Package	DFN-7x6.5-6-1 (Leadless Plastic Package)
Pin Configuration	Dual-Gate (gate1/gate2), Dual-Drain (drain1/drain2) design

Arsitektur Doherty yang Dioptimalkan: Transistor Doherty gerbang ganda yang disesuaikan untuk aplikasi stasiun pangkalan, mendukung kebutuhan komunikasi pita lebar pada pita 2,3–2,7 GHz, menyeimbangkan efisiensi tinggi dan linearitas untuk sinyal PAPR tinggiAmpleon.
Kemampuan Pra-Distorsi Digital (DPD) Unggul: Memungkinkan peningkatan linearitas sistem setelah koreksi DPD, memenuhi persyaratan rasio daya saluran berdekatan (ACPR) yang ketat untuk stasiun pangkalan 5G/4G (nilai tipikal: -27,1 dBc)Ampleon.
Desain yang Cocok Secara Internal: Menyederhanakan desain sirkuit aplikasi, mengurangi kompleksitas pengembangan, dan mempercepat time-to-marketAmpleon.
Kapasitansi Output Rendah: Meningkatkan bandwidth dan efisiensi dalam konfigurasi Doherty, meningkatkan kinerja sistem secara keseluruhanAmpleon.
Sesuai RoHS: Memenuhi persyaratan arahan RoHS untuk aplikasi pasar globalAmpleon.

Penguat Daya RF untuk Pemancar Makro 5G/4G (pita 2,3–2,7 GHz, misalnya TD-LTE, 5G NR)Ampleon
Sistem Pemancar Komunikasi Multi-PembawaAmpleon
Infrastruktur Komunikasi Nirkabel BroadbandAmpleon
Sistem komunikasi industri dan jaringan pribadi memerlukan amplifikasi RF berdaya tinggi dan efisiensi tinggi

Produk panas