Transistor Daya RF Gallium Nitrida C4H24F550AVZ

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: C4H24F550AV C4H24F550AVZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Transistor Daya C4H24F550AVZ GaN

Model: C4H24F550AV (Nomor Bagian Lengkap: C4H24F550AVY)

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: Transistor Daya RF Gallium Nitrida (GaN) (Arsitektur Doherty Asimetris)

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 2400 MHz (2.3–2.4 GHz)
Peak Output Power	550 W (Continuous Wave, CW mode)
Typical Gain	16.2 dB
Supply Voltage	48 V
Package	SOT1249B (Air Cavity Ceramic Package)

Desain Doherty yang Dioptimalkan untuk Stasiun Pangkalan: Dibangun pada arsitektur Doherty asimetris, disesuaikan untuk sinyal PAPR (Rasio Daya Puncak ke Rata-Rata) yang tinggi di stasiun pangkalan makro 5G/4G (misalnya, 5G NR), yang menyeimbangkan efisiensi dan linearitas tinggi.
Linearitas Unggul & Kompatibilitas DPD: Menghadirkan kemampuan Pra-Distorsi Digital (DPD) yang sangat baik, memungkinkan peningkatan linearitas sistem setelah koreksi DPD untuk memenuhi standar komunikasi yang ketat.
Optimalisasi Kinerja Broadband: Kapasitansi keluaran rendah meningkatkan bandwidth dan efisiensi dalam konfigurasi Doherty, mendukung kebutuhan komunikasi pita lebar pada pita 2,3–2,4 GHz.
Kemasan dengan Keandalan Tinggi: Kemasan keramik rongga udara menawarkan pembuangan panas yang unggul dan ketahanan lingkungan, memastikan pengoperasian yang stabil dalam skenario beban tinggi jangka panjang seperti stasiun pangkalan.

Penguat Daya RF untuk Pemancar Makro 5G/4G (pita 2,3–2,4 GHz, misalnya TD-LTE, 5G NR)
Pemancar Komunikasi Broadband
Sistem komunikasi industri memerlukan amplifikasi RF berdaya tinggi dan efisiensi tinggi

Produk panas