GAN MOSFET RF C4H2327N55PZ

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: C4H2327N55PZ C4H2327N55PX C4H2327N55P

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Transistor Daya GaN

Model: C4H2327N55Pz (Model Standar: C4H2327N55PZ)

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: Transistor Daya RF Doherty yang Dikemas Gallium Nitrida (GaN) (Dioptimalkan untuk Aplikasi Stasiun Pangkalan Broadband 2,3–2,69 GHz)

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 2690 MHz (2.3–2.69 GHz), covering 5G NR n41/n78 and other key bands
Peak Output Power (P1dB)	50 W (Typical, in Doherty Configuration)
Typical Power Gain	19.6 dB (Typical)
Typical Drain Efficiency	50%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance)
Supply Voltage (VDS)	46–48 V (Typical Application) / 50 V (Standard)
Quiescent Drain Current (IDq)	30 mA (Typical)
Package Type	6-DFN (7×6.5 mm), Surface Mount, with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Special Features	Doherty architecture, integrated input splitter and output combiner, low output capacitance design
Linearity Performance	Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction

Arsitektur Broadband Doherty: Dirancang khusus untuk rentang frekuensi ultra lebar 2,3–2,69 GHz, memanfaatkan teknologi GaN canggih dari Ampleon untuk menyeimbangkan daya dan efisiensi tinggi di seluruh pita, ideal untuk aplikasi stasiun pangkalan multi-band 5G NR.
Kinerja Pra-Distorsi Digital (DPD) yang Luar Biasa: Dioptimalkan untuk sinyal 5G NR, memungkinkan linearitas superior setelah koreksi DPD untuk memenuhi persyaratan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang ketat untuk stasiun pangkalan dan mengurangi kompleksitas desain sistem.
Kepadatan & Efisiensi Daya Tinggi: Menghasilkan daya keluaran puncak 50 W dalam paket DFN 7×6,5 mm yang ringkas dengan perolehan daya tipikal sebesar 19,6 dB dan efisiensi pengurasan melebihi 50%, secara signifikan mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalan dan meningkatkan keandalan sistem dan keekonomian operasional.
Desain Kapasitansi Output Rendah: Meningkatkan respons frekuensi dan efisiensi dalam aplikasi Doherty, meningkatkan kemampuan adaptasi broadband, dan meningkatkan kinerja sistem secara keseluruhan.
Paket Termal Efisiensi Tinggi: Paket DFN dengan bantalan terbuka besar memberikan konduktivitas termal yang sangat baik, memastikan pengoperasian yang stabil dalam kondisi beban tinggi dan memperpanjang masa pakai perangkat.
Sesuai RoHS: Memenuhi persyaratan arahan RoHS untuk aplikasi pasar global.

Penguat Daya RF untuk Pemancar Makro/Mikro 5G NR (pita 2,3–2,69 GHz, misalnya, n41/n78)
Modul Penguat Daya Stasiun Pangkalan 4G LTE Multi-band (2300–2690 MHz)
Unit Amplifikasi Daya dalam Sistem Massive MIMO (mMIMO).
Sistem Pemancar Komunikasi Multi-Carrier (misalnya W-CDMA, LTE-A Pro)
Infrastruktur Komunikasi Nirkabel Broadband (misalnya CBRS, C-Band)
Industrial Internet of Things (IIoT) dan Sistem Komunikasi Jaringan Pribadi (misalnya, 5G-Industri)

Produk panas