Transistor Daya RF Gallium Nitrida C4H2350N10Z

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: C4H2350N10Z C4H2350N10Y C4H2350N10

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Model: C4H2350N10Z (Model Dasar: C4H2350N10)

Pabrikan: Ampeon

Tipe Produk: Transistor Daya RF Gallium Nitrida (GaN) (Desain Gerbang Tunggal, Dioptimalkan untuk Aplikasi Broadband)

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 5000 MHz (2.3–5 GHz)
Peak Output Power (P1dB)	10 W (Continuous Wave, CW mode)
Typical Power Gain	18.9 dB
Typical Drain Efficiency	65 % (Typical, in Doherty Configuration)
Supply Voltage (VDS)	50 V
Quiescent Drain Current (IDq)	20 mA (Typical)
Package	DFN-6 (4.5×4.6 mm), Leadless Plastic Package with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Pin Configuration	Single-Gate (gate), Single-Drain (drain), Source-Grounded (source) design

Cakupan Bandwidth Ultra Lebar: Rentang frekuensi ultra lebar 2,3–5 GHz, mendukung aplikasi stasiun pangkalan 5G NR Sub-6 GHz penuh dan multi-band 4G LTE, yang secara signifikan menyederhanakan desain sistem multi-band.
Performa Pra-Distorsi Digital (DPD) yang Luar Biasa: Dioptimalkan untuk sinyal Rasio Daya Puncak ke Rata-Rata (PAPR) yang tinggi, memungkinkan linearitas superior setelah koreksi DPD untuk memenuhi persyaratan Rasio Daya Saluran Berdekatan (ACPR) yang ketat untuk stasiun pangkalan 5GAmpleon.
Kepadatan & Efisiensi Daya Tinggi: Teknologi GaN menghasilkan kepadatan daya yang lebih tinggi dengan efisiensi pengurasan tipikal sebesar 65% dalam konfigurasi Doherty, mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalan dan meningkatkan keandalan sistemAmpleon.
Desain Kapasitansi Output Rendah: Meningkatkan respons frekuensi dan efisiensi dalam aplikasi broadband, meningkatkan kemampuan adaptasi bandwidth sirkuit Doherty, dan meningkatkan kinerja sistem secara keseluruhanAmpleon.
Paket Termal Ringkas & Efisiensi Tinggi: Paket DFN-6 dengan bantalan terbuka memberikan konduktivitas termal yang sangat baik, memastikan pengoperasian yang stabil dalam kondisi beban tinggi sekaligus menghemat ruang PCB.
Sesuai RoHS: Memenuhi persyaratan arahan RoHS untuk aplikasi pasar global.

Amplifier Daya RF untuk Pemancar Makro/Mikro 5G NR Sub-6 GHz (cakupan pita penuh 2,3–5 GHz)
Modul Penguat Daya Stasiun Pangkalan 4G LTE Multi-band
Sistem Pemancar Komunikasi Multi-Carrier (misalnya W-CDMA, LTE-A Pro)
Infrastruktur Komunikasi Nirkabel Broadband (misalnya CBRS, C-Band)
Industrial Internet of Things (IIoT) dan Sistem Komunikasi Jaringan Pribadi (misalnya, 5G-Industri)
Sumber Sinyal RF pada Peralatan Uji & Pengukuran

Produk panas