Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor Daya GaN> C4H27W400AVZ RF MOSFET 50V
C4H27W400AVZ RF MOSFET 50V
C4H27W400AVZ RF MOSFET 50V
C4H27W400AVZ RF MOSFET 50V
C4H27W400AVZ RF MOSFET 50V
C4H27W400AVZ RF MOSFET 50V
C4H27W400AVZ RF MOSFET 50V

C4H27W400AVZ RF MOSFET 50V

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: C4H27W400AVZ C4H27W400AVY

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
Model: C4H27W400AV (Model Dasar: C4H27W400A)
Pabrikan: Ampeon
Jenis Produk: Transistor Daya RF Asimetris Doherty Paket Gallium Nitrida (GaN) (Dioptimalkan untuk Aplikasi Stasiun Pangkalan Broadband 2,3–2,69 GHz)

Spesifikasi Utama

Parameter Specification
Frequency Range 2300 MHz to 2690 MHz (2.3–2.69 GHz), covering 5G NR n41/n78 and other key bands
Peak Output Power (P1dB) 400 W (Continuous Wave, CW mode), typical 47.2 dBm
Typical Power Gain 15.4 dB (Typical)
Typical Drain Efficiency 53.7 % (Typical, in Doherty Configuration), up to 56.5 % maximum
Supply Voltage (VDS) 50 V (Standard) / 48 V (Typical Application)
Quiescent Drain Current (IDq) 200 mA (Typical)
Package Type SOT1249B / SOT1275-1 (Flanged, Enhanced Thermal Dissipation)
Special Features Asymmetric Doherty architecture, integrated input splitter and output combiner, optimized DPD performance
Linearity Performance Power Ratio: -27 dBc (Typical)

Fitur & Manfaat

  • Arsitektur Doherty Asimetris Broadband: Dirancang khusus untuk rentang frekuensi ultra lebar 2,3–2,69 GHz, memanfaatkan teknologi Doherty asimetris untuk menyeimbangkan daya dan efisiensi tinggi di seluruh pita, ideal untuk aplikasi stasiun pangkalan multi-band 5G NR.
  • Performa Pra-Distorsi Digital (DPD) yang Luar Biasa: Dioptimalkan untuk sinyal 5G NR dengan Rasio Daya Puncak ke Rata-Rata (PAPR) yang tinggi, memungkinkan linearitas superior setelah koreksi DPD untuk memenuhi persyaratan Rasio Daya Saluran Berdekatan (ACPR) yang ketat untuk stasiun pangkalan dan mengurangi kompleksitas desain sistem.
  • Kepadatan Daya Ultra Tinggi: Menghasilkan daya keluaran puncak 400 W dalam paket ringkas dengan kepadatan daya terdepan di industri, secara signifikan mengurangi ukuran front-end RF stasiun pangkalan dan menurunkan biaya sistem.
  • Konversi Energi Efisiensi Tinggi: Efisiensi pengurasan tipikal sebesar 53,7% dengan maksimum 56,5%, secara signifikan mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalan dan meningkatkan keandalan sistem dan keekonomian operasional.
  • Desain Kapasitansi Output Rendah: Meningkatkan respons frekuensi dan efisiensi dalam aplikasi Doherty, meningkatkan kemampuan adaptasi broadband, dan meningkatkan kinerja sistem secara keseluruhan.
  • Paket Keandalan Tinggi: Paket SOT bergelang memberikan konduktivitas termal yang sangat baik, memastikan pengoperasian yang stabil dalam kondisi beban tinggi dan memperpanjang masa pakai perangkat.
  • Sesuai RoHS: Memenuhi persyaratan arahan RoHS untuk aplikasi pasar global.

Aplikasi

  • Penguat Daya RF untuk Pemancar Makro/Mikro 5G NR (pita 2,3–2,69 GHz, misalnya, n41/n78)
  • Modul Penguat Daya Stasiun Pangkalan 4G LTE Multi-band (2300–2690 MHz)
  • Unit Amplifikasi Daya dalam Sistem Massive MIMO (mMIMO).
  • Sistem Pemancar Komunikasi Multi-Carrier (misalnya W-CDMA, LTE-A Pro)
  • Infrastruktur Komunikasi Nirkabel Broadband (misalnya CBRS, C-Band)
  • Industrial Internet of Things (IIoT) dan Sistem Komunikasi Jaringan Pribadi (misalnya, 5G-Industri)
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor Daya GaN> C4H27W400AVZ RF MOSFET 50V
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim