BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258

Spesifikasi Utama（Tcase=25°C, VDS=30V, sinyal W-CDMA）

• Rentang Frekuensi：2110MHz ~ 2180MHz
• Tegangan Pasokan：30 V (Biasa), Maks 65V
• Arus Diam: 1150mA (Utama)
• Daya Keluaran Rata-rata：93,3 W (49,7dBm)
• Daya Output Puncak：570 W (Biasa)
• Penguatan Daya：15,7 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan：48% (Biasa)
• ACPR：−34,2 dBc (Biasa)
• Kerugian Pengembalian Masukan：−14 dB (Biasa)
• Paket: SOT1258-4, paket rongga udara flensa tanpa telinga 6 timah
• Ketahanan Termal (JC):0,18~0,20 K/W
• Kekasaran: Toleransi ketidaksesuaian beban fase penuh VSWR 10:1

Fitur

1. Teknologi LDMOS Ketangguhan Tinggi: Toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik untuk pengoperasian stasiun pangkalan yang stabil dalam jangka panjang;
2. Arsitektur Doherty Asimetris Terintegrasi: Dioptimalkan untuk sinyal 5G NR dan LTE multi-operator PAPR tinggi dengan linearitas yang baik;
3. Pra-Pencocokan Input On-Chip: Menyederhanakan desain sirkuit RF eksternal dan memperpendek siklus pengembangan;
4. Efek Memori Rendah: Memastikan penolakan saluran berdekatan yang sangat baik dengan linearisasi DPD;
5. Desain Ketahanan Termal Rendah: Pembuangan panas yang unggul untuk pengoperasian daya tinggi yang berkelanjutan;
6. Perlindungan ESD Terintegrasi: Meningkatkan kemampuan dan keandalan anti-statis;
7. Sesuai RoHS: Memenuhi persyaratan lingkungan.

Aplikasi Khas

• Penguat akhir stasiun pangkalan makro untuk pita 5G n1/n3 & 4G B1/B3;
• Sistem pemancar RF multi-operator pada 2110–2180 MHz;
• Modul penguat daya RF linier berdaya tinggi.

Definisi Nomor Bagian

• BLC: Seri perangkat daya Ampleon LDMOS;
• 10G: proses LDMOS generasi ke-10;
• 22: pita frekuensi 2,2GHz (2110–2180MHz);
• XS: Doherty Asimetris, paket standar;
• 570: daya puncak 570W;
• AVT: Flensa tanpa telinga, paket rongga udara dengan decoupling video.