Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> BLM8G0710S-30PBG RF TRANSISTOR EFEK Medan SINYAL KECIL
BLM8G0710S-30PBG RF TRANSISTOR EFEK Medan SINYAL KECIL
BLM8G0710S-30PBG RF TRANSISTOR EFEK Medan SINYAL KECIL
BLM8G0710S-30PBG RF TRANSISTOR EFEK Medan SINYAL KECIL
BLM8G0710S-30PBG RF TRANSISTOR EFEK Medan SINYAL KECIL
BLM8G0710S-30PBG RF TRANSISTOR EFEK Medan SINYAL KECIL
BLM8G0710S-30PBG RF TRANSISTOR EFEK Medan SINYAL KECIL

BLM8G0710S-30PBG RF TRANSISTOR EFEK Medan SINYAL KECIL

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLM8G0710S-30PBG

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
Nomor Bagian: BLM8G0710S-30PBG
Pabrikan:Ampleon
Tipe Perangkat:LDMOS generasi ke-8, MMIC daya dua tahap 2 tahap, 700–1000 MHz sub‑1GHz, driver linearitas tinggi kelas 30W/penguat akhir sel kecil (BLM8G0710S-30PB versi utama sayap camar).

Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=28V, 1‑carrier W‑CDMA)

  • Rentang Frekuensi:700MHz ~ 1000MHz
  • Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):28 V (Biasa), Maks 32 V
  • Arus Diam:I_Dq1=30 mA (pengemudi); I_Dq2=120 mA (akhir)
  • Daya Output Rata-rata:3,3 W (W‑CDMA, PAR=9,9 dB)
  • Daya Keluaran P1dB:30 W (44,8 dBm, Biasa)
  • Penguatan Daya:35 dB (Biasa)
  • Efisiensi Pembuangan:51 % (Biasa)
  • Linearitas (ACPR5M):-41,5 dBc (Biasa)
  • Paket:SOT1271‑2 (16 sadapan, sayap camar, tipe dudukan panas datar)
  • Ketahanan Termal (Persimpangan ke Kasus): 4,5 K/W
  • Fitur: pencocokan on-chip, isolasi dua bagian tinggi, bias kompensasi suhu, perlindungan ESD, kompatibel dengan Doherty

Fitur Utama

  • LDMOS generasi ke-8 + arsitektur dua tahap 2 tahap: gain tinggi, efisiensi & linearitas, kemampuan mengemudi 2× vs. 15PB;
  • Cakupan pita lebar 700–1000 MHz untuk sinyal 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA high‑PAR;
  • Isolasi dua bagian yang tinggi (>29 dB) mendukung topologi gabungan satu ujung / dua bagian / Doherty / push‑pull / quadrature;
  • Pencocokan I/O pada chip menghilangkan sirkuit eksternal yang rumit, menyederhanakan desain & memperpendek siklus;
  • Bias kompensasi suhu terintegrasi + penyesuaian bias tahap independen memastikan stabilitas & mengurangi upaya penyetelan;
  • Perlindungan ESD bawaan, sesuai RoHS, keandalan tinggi; kabel sayap camar untuk memudahkan penyolderan PCB & pembuangan panas.

Aplikasi Khas

  • Driver linieritas tinggi stasiun pangkalan makro sub‑1GHz (700–1000 MHz) (untuk transistor Doherty 350W/500W, misalnya BLC9H10XS-350A/500A);
  • Amplifier akhir sel kecil / sel pico 4G/5G (skenario linearitas tinggi 30W);
  • Nirkabel pribadi, keamanan publik, pemancar RF pita ISM 20–30W;
  • Tahap pra-driver/driver pemancar berdaya tinggi multi-carrier.

Definisi Nomor Bagian

  • BLM:MMIC daya serbaguna
  • 8:Proses LDMOS generasi ke-8
  • G:Driver serba guna/kelas sel kecil
  • 0710:pita frekuensi 700–1000 MHz
  • S:Versi standar
  • Peringkat daya 30:30W (P1dB)
  • PB:Paket pemasangan pemanas datar
  • G:Pemimpin sayap camar
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> BLM8G0710S-30PBG RF TRANSISTOR EFEK Medan SINYAL KECIL
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim