BLC10G19XS-601AVTZ RF MOSFET LDMOS 30V

Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=30V, sinyal W‑CDMA/5G NR)

• Rentang Frekuensi：1,93 GHz ~ 1,995 GHz (band mainstream 5G seperti n39/n40)
• Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):30 V (Biasa), Maks 65 V
• Arus Diam (IDq):1060 mA (amp Utama, Tipe)Ampleon
• Daya Keluaran Rata-rata (PL(AV)):120–125 W (50,8 dBm)
• Daya Output Puncak (PL(M)):630–680 W (Biasanya 650 W)
• Penguatan Daya (Gp):15 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan (ηD):49 % (Biasa)
• Rasio Daya Saluran Berdekatan (ACPR):−32 dBc (Biasanya, ≤−50 dBc setelah linearisasi)
• Kerugian Pengembalian Masukan (RLin):−15 dB (Biasa)
• Paket：SOT1258-4 (plastik 6-timah, flensa tanpa telinga, rongga udara)
• Ketahanan Termal (Persimpangan ke Casing):0,16–0,18 K/W (pada disipasi daya 120–150W)Ampleon
• Fitur: Pra-pencocokan internal, efek memori rendah, toleransi ketidakcocokan tinggi (VSWR = 10:1), kapasitansi keluaran rendah, perlindungan ESD, ketangguhan tinggi

Fitur Utama

• Arsitektur Doherty Asimetris：Jalur ganda utama+puncak terintegrasi, dioptimalkan untuk sinyal PAPR tinggi 5G, menyeimbangkan efisiensi tinggi dan linearitas tinggi；
• Kepadatan daya tinggi: daya puncak 650W, penguatan 15dB, memenuhi persyaratan cakupan daya tinggi dari stasiun pangkalan makro di pita 1,9GHz;
• Desain efek memori rendah：Karakteristik nonlinier yang dioptimalkan, kemampuan linearisasi DPD yang kuat, cocok untuk skenario multi-operator 5G dan MIMO masif；
• Kinerja termal yang sangat baik: Resistansi termal ultra-rendah (0,16K/W) untuk efisiensi pembuangan panas tinggi, mendukung operasi daya tinggi berkelanjutan jangka panjangAmpleon；
• Pra-pencocokan internal：Menyederhanakan sirkuit pencocokan eksternal, memperpendek siklus desain, dan mengurangi biaya BOM；
• Ketangguhan tinggi：Tahan VSWR=10:1 ketidaksesuaian beban semua fase dan gangguan kebisingan broadband untuk pengoperasian stabil jangka panjang；
• Sesuai RoHS: Bebas timah, ramah lingkungan.

Aplikasi Khas

• Penguat akhir stasiun pangkalan makro 5G (1,93–1,995 GHz, pita n39/n40)；
• Amplifikasi RF multi-operator 4G LTE/5G NR；
• Saluran transmisi stasiun pangkalan RF berdaya tinggi；
• Penggantian LDMOS lama (misalnya, BLC10G19XS-551AVZ) untuk daya dan efisiensi yang lebih tinggi.

Definisi Nomor Bagian

• BLC：Seri B, LDMOS, transistor daya Doherty
• 10G：Proses LDMOS generasi ke-10, aplikasi stasiun pangkalan umum
• 19：pita 1,9GHz (1,93–1,995GHz)
• XS:Paket bergelang tanpa telinga, kepadatan daya tinggi
• 601：Peringkat daya kelas 600W (puncak 650W)
• AVT：Asymmetric Doherty, kemasan plastik rongga udara, versi standar (Z/Y = akhiran batch/lingkungan)