BLC10G22XS-603AVT RF MOSFET LDMOS 30V

Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=30V, sinyal 5G NR/W‑CDMA)

• Rentang Frekuensi：2,11 GHz ~ 2,17 GHz (band mainstream 5G seperti n1/n3)
• Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):30 V (Biasa), Maks 65 V
• Arus Diam (IDq):1150 mA (amp Utama, Tipe)
• Daya Keluaran Rata-rata (PL(AV)):110–118 W (50,4–50,7 dBm)
• Daya Output Puncak (PL(M)):600–650 W (Biasanya 600 W)
• Penguatan Daya (Gp):15,4 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan (ηD):47,5 % (Biasa)
• Rasio Daya Saluran Berdekatan (ACPR):−31 dBc (Biasanya, ≤−50 dBc setelah linearisasi)
• Kerugian Pengembalian Masukan (RLin):−15 dB (Biasa)
• Paket：SOT1258-4 (plastik 6-timah, flensa tanpa telinga, rongga udara)
• Ketahanan Termal (Persimpangan ke Casing):0,17–0,19 K/W (pada disipasi daya 110–140W)
• Fitur: Pra-pencocokan internal, efek memori rendah, toleransi ketidakcocokan tinggi (VSWR = 10:1), kapasitansi keluaran rendah, perlindungan ESD, ketangguhan tinggi

Fitur Utama

• Arsitektur Doherty Asimetris：Jalur ganda utama+puncak terintegrasi, dioptimalkan untuk sinyal PAPR tinggi 5G, menyeimbangkan efisiensi tinggi dan linearitas tinggi；
• Kepadatan daya tinggi：daya puncak 600W, penguatan 15,4dB, memenuhi persyaratan cakupan daya tinggi dari stasiun pangkalan makro di pita 2,1GHz；
• Desain efek memori rendah：Karakteristik nonlinier yang dioptimalkan, kemampuan linearisasi DPD yang kuat, cocok untuk skenario multi-operator 5G dan MIMO masif；
• Performa termal luar biasa：Ketahanan termal sangat rendah (0,17K/W) untuk efisiensi pembuangan panas tinggi, mendukung pengoperasian daya tinggi berkelanjutan jangka panjang；
• Pra-pencocokan internal：Menyederhanakan sirkuit pencocokan eksternal, memperpendek siklus desain, dan mengurangi biaya BOM；
• Ketangguhan tinggi：Tahan VSWR=10:1 ketidaksesuaian beban semua fase dan gangguan kebisingan broadband untuk pengoperasian stabil jangka panjang；
• Sesuai RoHS：Bebas timah, ramah lingkungan。

Aplikasi Khas

• Penguat akhir stasiun pangkalan makro 5G (2,11–2,17 GHz, pita n1/n3)；
• Amplifikasi RF multi-operator 4G LTE/5G NR；
• Saluran transmisi stasiun pangkalan RF berdaya tinggi；
• Penggantian LDMOS lama (misalnya, BLC10G22XS-400AVT) untuk daya dan efisiensi yang lebih tinggi。

Definisi Nomor Bagian

• BLC：Seri B, LDMOS, transistor daya Doherty
• 10G：Proses LDMOS generasi ke-10, aplikasi stasiun pangkalan umum
• 22：pita 2,1–2,2GHz (2,11–2,17GHz)
• XS:Paket bergelang tanpa telinga, kepadatan daya tinggi
• 603：Peringkat daya kelas 600W (puncak 600W)
• AVT：Asymmetric Doherty, kemasan plastik rongga udara, versi standar (Z/Y = akhiran batch/lingkungan)