AMPLEON B11G3338N81DXZ MOSFET LDMOS

Spesifikasi Utama

• Rentang Frekuensi：3300MHz ~ 3800MHz
• Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):28 V (Biasa)
• Daya Output：8 W (1‑carrier LTE 20MHz, PAR=7,6dB)
• Penguatan Daya：28 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan：40 % (Biasa)
• Paket：PQFN‑12x7‑36‑1 (36‑lead, SMT tanpa timah)
• Impedansi Input/Output：50 Ω / 25 Ω (pra-pertandingan terintegrasi)
• Bias: Pembawa independen/bias puncak; saklar gerbang terintegrasi
• Fitur: Linearitas tinggi, bandwidth instan lebar, perlindungan ESD, kompatibel dengan DPD

Fitur Utama

• Doherty yang terintegrasi penuh: mencakup pemisah input, penggabung output, perangkat pembawa/peaking, dan pra-pertandingan—meminimalkan komponen eksternal；
• Desain 3 tahap + dua bagian menghasilkan gain dan linearitas tinggi untuk sinyal PAR tinggi 5G NR；
• Kontrol bias independen untuk efisiensi/optimasi linearitas; sakelar gerbang terintegrasi memungkinkan mode hemat daya；
• Paket PQFN menawarkan kinerja termal luar biasa dan tapak kecil, ideal untuk mMIMO kepadatan tinggi dan antena aktif。

Aplikasi Khas

• Penguat driver AAU/RRU stasiun pangkalan makro 5G；
• Tahap akhir/driver sel kecil/sel pico 5G；
• Unit antena aktif 5G mMIMO；
• Pemancar komunikasi broadband 3,5GHz。

Definisi Nomor Bagian

• B11:5G 3.3–5.0GHz LDMOS MMIC keluarga
• G：pita frekuensi 3,3–3,8GHz
• 3338：rentang 3300–3800MHz
• N：Konfigurasi Doherty
• 81D: Peringkat daya 8W, 3 tahap, versi D