BLM8G0710S-15PB MMIC daya bagian ganda 2 tahap

Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=28V, 1‑carrier W‑CDMA)

• Rentang Frekuensi：700MHz ~ 1000MHz
• Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):28 V (Biasa), Maks 32 V
• Arus Diam：I_Dq1=15 mA (pengemudi); I_Dq2=60 mA (akhir)
• Daya Output Rata-rata：1,5 W (W‑CDMA, PAR=9,9 dB)
• Daya Keluaran P1dB：23,3 W (43,7 dBm, Biasa)
• Penguatan Daya：36 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan：27 % (Biasa)
• Linearitas (ACPR5M):-41 dBc (Biasa)
• Paket：SOT1211‑3 (16 sadapan, tipe dudukan panas datar)
• Ketahanan Termal (Persimpangan ke Kasus):7,5 K/W
• Fitur: pencocokan on-chip, bias kompensasi suhu, perlindungan ESD, isolasi tinggi

Fitur Utama

• LDMOS generasi ke-8, amplifier terintegrasi 2 tahap: gain tinggi, linearitas & stabilitas broadband；
• Cakupan pita lebar 700–1000 MHz untuk 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA；
• Pencocokan I/O pada chip menghilangkan sirkuit eksternal yang rumit, menyederhanakan desain & memperpendek siklus；
• Isolasi port‑ke‑port yang tinggi (29 dB) mendukung topologi ujung tunggal/dua bagian/Doherty/push‑pull；
• Bias kompensasi suhu terintegrasi memastikan stabilitas & mengurangi upaya penyetelan；
• Perlindungan ESD bawaan, sesuai RoHS, keandalan tinggi.

Aplikasi Khas

• Driver stasiun pangkalan makro sub‑1GHz (700–1000 MHz) (untuk transistor Doherty 350W/500W)；
• Penguat akhir sel kecil / sel pico 4G/5G；
• Nirkabel pribadi, keamanan publik, pemancar RF pita ISM 10–20W.

Definisi Nomor Bagian

• BLM：MMIC daya serbaguna
• 8：Proses LDMOS generasi ke-8
• G：Driver serba guna/kelas sel kecil
• 0710：pita frekuensi 700–1000 MHz
• S：Versi standar
• Peringkat daya 15：15W (P1dB)
• PB：SOT1211‑3 paket pemanas datar