BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50V SOT1273

Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=48V, 940MHz, kelas‑AB)

• Rentang Frekuensi：400MHz ~ 1000MHz
• Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):48 V (Biasa), Maks 105 VAmpleon
• Arus Diam (IDq):110 mA (Tip.)Ampleon
• Daya Keluaran P1dB：60 W (47,8 dBm, Biasa)
• Penguatan Daya：16,1 dB (Biasa)
• Efisiensi Pengurasan：11,9 % (Biasa, kelas‑AB, 1‑carrier)
• Linearitas (ACPR):-38 dBc (Biasa)
• Paket：SOT1273‑1 (4 sadapan, paket flensa bebas timah, disipasi termal tinggi)
• Ketahanan Termal (Persimpangan ke Kasus):2,8 K/W
• Fitur: Pencocokan internal, perlindungan ESD, stabilitas broadband, toleransi ketidakcocokan tinggi (VSWR=10:1)Ampleon

Fitur Utama

• LDMOS + arsitektur simetris generasi ke-9: gain tinggi, linearitas & stabilitas broadband untuk sinyal multi-carrier PAR tinggi；
• Cakupan pita lebar ultra 400–1000 MHz untuk pita 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA, pita privat/ISM；
• Desain tiang ganda yang simetris mendukung topologi ujung tunggal/tarikan dorong/jembatan untuk fleksibilitas tinggi；
• Pra-pencocokan input internal menyederhanakan sirkuit eksternal & memperpendek siklus desain；
• Perlindungan ESD terintegrasi + ketangguhan tinggi menahan ketidaksesuaian beban (VSWR=10:1) untuk keandalan tinggi；
• Paket hijau bebas timah (PY) sesuai RoHS dengan kinerja termal luar biasaAmpleon.

Aplikasi Khas

• Driver stasiun pangkalan makro sub‑1GHz (400–1000 MHz) (untuk transistor Doherty 350W/500W, misalnya BLC9H10XS-350A/500A)；
• Penguat akhir sel menengah/kecil 4G/5G (skenario linier 60W)；
• Nirkabel pribadi, keamanan publik, pemancar RF pita ISM 50–60W；
• Pra-amplifier/tahap driver pemancar berdaya tinggi multi-carrier.

Definisi Nomor Bagian

• BLC：LDMOS kekuatan simetris
• 9：Proses LDMOS generasi ke-9
• H10：pita frekuensi 400–1000 MHz
• XS：Versi simetris standar
• Peringkat daya 60：60W (P1dB)
• P：Paket pemasangan panas bergelang
• Y：Versi hijau bebas timbal