BLC10G16XS-600AVT RF MOSFET LDMOS 32V

Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=32V, sinyal W-CDMA 1 pembawa)

• Rentang Frekuensi：1,427 GHz ~ 1,518 GHz (band mainstream 5G seperti n41/40)
• Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):32 V (Biasa), Maks 65 V
• Arus Diam (IDq):1300 mA (amp Utama, Tipe)
• Daya Keluaran Rata-rata (PL(AV)):112–115 W (50,6 dBm)
• Daya Keluaran Puncak (PL(M)):614–720 W
• Penguatan Daya (Gp):17,4 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan (ηD):48,7 % (Biasa)
• Rasio Daya Saluran Berdekatan (ACPR):−31,0 dBc (Biasa)
• Kerugian Pengembalian Masukan (RLin):−16 dB (Biasa)
• Paket：SOT1258-4 (plastik 6-timah, flensa tanpa telinga, rongga udara)
• Ketahanan Termal (Persimpangan ke Casing):0,17–0,19 K/W (pada disipasi daya 115–145W)
• Fitur: Pra-pencocokan internal, efek memori rendah, toleransi ketidakcocokan tinggi (VSWR = 10:1), kapasitansi keluaran rendah, perlindungan ESD

Fitur Utama

• Arsitektur Doherty Asimetris：Jalur ganda utama+puncak terintegrasi, dioptimalkan untuk sinyal PAPR tinggi 5G, menyeimbangkan efisiensi tinggi dan linearitas tinggi；
• Daya tinggi & perolehan tinggi: daya puncak kelas 600W, perolehan 17,4dB, memenuhi persyaratan cakupan daya tinggi stasiun pangkalan makro;
• Efek memori rendah：Desain yang dioptimalkan meningkatkan kemampuan pra-distorsi digital (DPD), dengan ACPR linier di bawah −50 dBc；
• Ketangguhan tinggi：Tahan VSWR=10:1 ketidaksesuaian beban semua fase untuk pengoperasian stabil jangka panjang；
• Performa termal luar biasa：Ketahanan termal sangat rendah (0,17K/W) untuk efisiensi pembuangan panas tinggi, mendukung pengoperasian daya tinggi berkelanjutan；
• Pra-pencocokan internal：Menyederhanakan sirkuit pencocokan eksternal, memperpendek siklus desain, dan mengurangi biaya BOM；
• Sesuai RoHS: Bebas timah, ramah lingkungan.

Aplikasi Khas

• Penguat akhir stasiun pangkalan makro 5G (1,427–1,518 GHz, pita n41/n40)；
• Amplifikasi RF multi-operator 4G LTE；
• Saluran transmisi stasiun pangkalan RF berdaya tinggi；
• Penggantian LDMOS lama (misalnya, BLC10G22XS-400AVT) untuk daya dan efisiensi yang lebih tinggi.

Definisi Nomor Bagian

• BLC：Seri B, LDMOS, transistor daya Doherty
• 10G：Proses LDMOS generasi ke-10, aplikasi stasiun pangkalan umum
• 16：pita 1,6GHz (1,427–1,518GHz)
• XS:Paket bergelang tanpa telinga, kepadatan daya tinggi
• Peringkat daya 600：600W (output puncak)
• AVT：Doherty asimetris, kemasan plastik rongga udara, versi standar