Semua produk

Transistor LDMOS daya BLP2425M10S250PY

BLP2425M10S250P adalah transistor daya RF berbasis LDMOS 250 W yang diproduksi oleh Ampleon, dirancang untuk aplikasi gelombang kontinu (CW) berdaya tinggi dalam rentang frekuensi 2400–2500 MHz (2,45 GHz ISM band). Fitur Utama Daya Tinggi: Daya...

B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D Penguat Daya RF

MMIC Doherty 2 Tahap Model: B11G3742N81D Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: LDMOS 28V Generasi ke-11 Bagian Ganda 3 tahap Doherty MMIC RF Power Amplifier yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,7–4,2GHz (mencakup pita frekuensi tinggi 5G...

Ampleon BLP15H9S100G BLP15H9S100GZ LDMOS

Transistor LDMOS daya BLP15H9S100G Sistem Komunikasi Siaran Pemancar radio AM/FM, siaran digital DAB/DRM, radio komunikasi darurat, peralatan komunikasi darat maritim & penerbangan, repeater sinyal. Peralatan RF Industri Mesin pemanas RF,...

Transistor MOSFET RF BLC2425M10LS250

BLC2425M10LS250 adalah transistor daya RF LDMOS 250 W yang diproduksi oleh Ampleon, dirancang untuk aplikasi gelombang kontinu (CW) berdaya tinggi pada 2400–2500 MHz (pita ISM 2,45 GHz). Itu ditempatkan dalam kemasan plastik berkinerja tinggi...

Penguat Daya RF BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ

BLM9D3438-16AM LDMOS 3 tahap Doherty MMIC terintegrasi Model: BLM9D3438-16AMZ Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: LDMOS 28V Generasi ke-9, Amplifier Daya RF Doherty MMIC 3 tahap yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,4–3,8GHz (mencakup...

Transistor daya avionik LDMOS BLA9H0912LS-1200PG

Model: BLA9H0912LS-1200PG Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: LDMOS Pulsed Power Transistor, dioptimalkan untuk pita avionik 960–1215MHz (mencakup frekuensi inti untuk sistem navigasi, pengawasan, dan komunikasi avionik), mencapai keseimbangan luar biasa...

B10G3741N55DZ RF MOSFET LDMOS

B10G3741N55D LDMOS 3 tahap Doherty MMIC terintegrasi Model: B10G3741N55D Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Amplifier Daya RF Doherty MMIC Doherty Asimetris 3 tahap LDMOS 50V Generasi ke-10, dioptimalkan untuk pita 3,7–4,1GHz (mencakup pita inti...

BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3 Tahap Doherty MMIC terintegrasi

Model: BLM9D3538-12AMz (BLM9D3538-12AMZ) Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: GEN9 LDMOS 3 tahap Penguat Daya RF Doherty MMIC Asimetris Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,4–3,8GHz (mencakup pita inti 5G NR n78 dan pita arus utama 4G...

BLM2425M9S20Z LDMOS MMIC daya 2 tahap

Optimasi Pita ISM: Dirancang khusus untuk pita ISM 2,45GHz, disesuaikan secara sempurna dengan aplikasi memasak industri, ilmiah, medis, dan microwave, disesuaikan secara internal dengan 50Ω, menyederhanakan desain sistem. Arsitektur 2 tahap...

BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF MOSFET LDMOS

Disediakan oleh Ampleon, BLP15M9S70GZ adalah transistor daya frekuensi radio LDMOS serbaguna dengan daya keluaran 70W. Ini mengadopsi proses manufaktur LDMOS tegangan tinggi 32V generasi ke-9 yang mutakhir. Bertempat di paket pemasangan permukaan...

BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF MOSFET LDMOS

Dibuat dengan teknologi LDMOS tegangan tinggi 32V generasi ke-9, BLP15M9S100GZ adalah transistor LDMOS daya RF multi-fungsi 100W dari Ampleon. Dikemas dalam bentuk pemasangan permukaan mini SOT-1483-1/TO-270-2F-2, mencakup rentang frekuensi HF...

Transistor RF MOSFET BLC2425M10LS500P

BLC2425M10LS500P adalah transistor daya RF LDMOS 500 W dari Ampleon, dioptimalkan untuk aplikasi gelombang kontinu (CW) dan pulse berdaya tinggi dalam rentang frekuensi 2400–2500 MHz (2,45 GHz ISM band), yang menampilkan kepadatan daya tinggi dan...

BLM10D2327-60ABG MMIC daya RF

BLM10D2327-60ABG LDMOS Doherty MMIC terintegrasi 2 tahap Model: BLM10D2327-60ABG Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Amplifier Daya RF Doherty MMIC RF 2 tahap 28V LDMOS Generasi ke-10, dioptimalkan untuk aplikasi stasiun pangkalan broadband 2,3–2,7GHz 5G...

Transistor MOSFET RF BLM10D3438-35ABZ

Model: BLM10D3438-35ABZ Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Penguat Daya RF Doherty MMIC Doherty Asimetris 3 tahap LDMOS 3 tahap yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro pita 3,4–3,8GHz (mencakup pita inti 5G NR n78 dan...

BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS

Model: BLP05H9S500P Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Transistor Daya LDMOS Dorong-Tarik, dioptimalkan untuk pita ISM 423–443MHz (frekuensi inti untuk aplikasi Industri, Ilmiah, dan Medis, mencakup komunikasi nirkabel arus utama 433MHz dan frekuensi...

Transistor MOSFET RF BLF13H9L750P BLF13H9L750PU

Transistor DayaLDMOS Transistor MOSFET RF BLF13H9L750P Kepadatan Daya Ultra Tinggi: Output CW 750W, dirancang khusus untuk aplikasi akselerator 1,3GHz, menggantikan amplifier klystron dan tabung vakum tradisional, secara signifikan mengurangi ukuran...

BLF984P BLF984PU Transistor LDMOS Daya

BLF984P adalah transistor RF LDMOS berdaya tinggi 450 W yang diproduksi oleh Ampleon, dirancang khusus untuk pemancar siaran, amplifier daya Doherty, pemancar Kelas-AB, dan aplikasi industri di 400–900 MHz (pita UHF). Bertempat di paket keramik...

BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF MOSFET LDMOS

BLP0408H9S30Z adalah transistor driver RF LDMOS daya sedang 30 W yang diproduksi oleh Ampleon, mengadopsi teknologi proses LDMOS tegangan tinggi (50V) generasi ke-9. Ini dirancang khusus untuk pemancar siaran 400–860 MHz (pita UHF), pemancar Kelas...

BLP15M9S100 BLP15M9S100Z RF MOSFET LDMOS

BLP15M9S100Z adalah transistor daya LDMOS RF serba guna 100 W yang diproduksi oleh Ampleon, mengadopsi teknologi proses LDMOS tegangan tinggi (32V) generasi ke-9. Ini dirancang khusus untuk pemancar siaran HF hingga 1500 MHz (frekuensi tinggi ke...

B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF MOSFET LDMOS

MMIC Doherty 2 Tahap Model: B10G4750N12DL Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: LDMOS 28V Generasi ke-10 3 tahap Doherty MMIC RF Power Amplifier yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 4,7–5,0GHz (mencakup pita frekuensi tinggi 5G NR n79),...

Penguat Daya RF BLM9D3336-12AM BLM9D3336-12AMZ

Model: BLM9D3336-12AMZ Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: LDMOS 3 tahap Penguat Daya RF Doherty MMIC Asimetris Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,3–3,65GHz (mencakup pita frekuensi rendah 5G NR n78 dan pita 4G TDD-LTE 3,5GHz) sel kecil...

Kapasitor Keramik Lapisan Tunggal untuk Aplikasi Frekuensi Tinggi

Kapasitor Lapisan Tunggal Kapasitor keramik satu lapis tipe tepi-diperpanjang seri SG seri serba guna / seri SM Seri SG menawarkan solusi serbaguna dan hemat biaya dengan karakteristik kelistrikan yang andal, menjadikannya ideal untuk penggandengan,...

Transistor LDMOS BLP15H9S30 BLP15H9S30Z

Desain pita lebar ultra: Mencakup rentang frekuensi HF hingga 2 GHz, sehingga menghilangkan kebutuhan penggantian perangkat di beberapa pita Penguatan daya tinggi: penguatan 21dB mengurangi tahapan rantai amplifier, menurunkan kompleksitas desain...

BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U

BLF2425M9L30 adalah transistor driver RF LDMOS 30 W yang diproduksi oleh Ampleon, dirancang khusus untuk aplikasi gelombang kontinu (CW) berdaya tinggi pada 2400–2500 MHz (pita ISM 2,45 GHz). Itu ditempatkan dalam paket keramik berkinerja tinggi...