Semua produk

Transistor daya avionik LDMOS BLA9H0912L-250G

I. Ikhtisar Produk BLA9H0912L-250G adalah transistor daya LDMOS RF berkinerja tinggi dari Ampleon. Dirancang khusus untuk pita frekuensi avionik 960MHz~1215MHz, produk ini menghasilkan daya keluaran khas 250W dengan efisiensi tinggi, ketangguhan...

100B102JW500XT 1000pf 1210 ±5% 500v

I. Ikhtisar Produk 100B102JW500XT adalah kapasitor keramik multilayer RF/microwave (MLCC) berperforma tinggi dari Porcelain Superchip® Seri 100B oleh KYOCERA AVX (sebelumnya American Technical Ceramics, ATC). Menampilkan dielektrik P90 dengan faktor...

100A2R0BW150XT 2pf 0505 ±0,1% 150V

I. Ikhtisar Produk 100A2R0BW150XT adalah kapasitor keramik multilayer RF/microwave (MLCC) berperforma tinggi dari Porcelain Superchip® Seri 100A oleh KYOCERA AVX (sebelumnya American Technical Ceramics, ATC). Menampilkan dielektrik P90 dengan faktor...

100A240JW150XT 24pf 0505 5% 150V

Nomor Bagian: 100A240JW150XT Pabrikan: American Technical Ceramics (ATC), sebuah Perusahaan KYOCERA AVX Tipe Produk: Q Tinggi, ESR Rendah, Koefisien Suhu P90 Kapasitor Keramik Multilapis RF & Microwave (MLCC), Kapasitor Keramik Kepadatan Tinggi...

600S3R0BW250XT 3,0pf 0603 ±0,1% 250V

Nomor Bagian: 600S3R0BW250XT Pabrikan: American Technical Ceramics (ATC), sebuah Perusahaan KYOCERA AVX Jenis Produk: ESR Ultra-Rendah, Q Tinggi, C0G/NP0 RF & Kapasitor Keramik Multilapis Microwave (MLCC) Paket: Perangkat Pemasangan Permukaan...

3.3PF 0603 ±0,1% 250V

Nomor Bagian: 600S3R3BT250XT Pabrikan: American Technical Ceramics (ATC), sebuah Perusahaan KYOCERA AVX Jenis Produk: ESR Ultra-Rendah, Q Tinggi, NPO/C0G RF & Kapasitor Keramik Multilapis Microwave (MLCC) Paket: Perangkat Pemasangan Permukaan...

Kapasitor Chip Keramik Multilapis Microwave

Informasi Dasar Pabrikan: American Technical Ceramics (ATC), sebuah Perusahaan KYOCERA AVX Jenis Produk: ESR Ultra-Rendah, Q Tinggi, NPO (C0G) RF & Kapasitor Chip Keramik Multilapis Microwave (MLCC) Seri: Seri 600S (Ukuran Standar EIA 0603)...

BLF647P RF MOSFET LDMOS 32V LDMOST

BLF647P Terjemahan Bahasa Inggris BLF647P adalah transistor daya LDMOS RF pita lebar 200 W yang diproduksi oleh Ampleon (sebelumnya NXP). Rentang frekuensi pengoperasiannya mencakup HF hingga 1500 MHz, terutama dirancang untuk aplikasi RF berdaya...

Perangkat LDMOS BLP15M9S70Z Daya Tingkat Lanjut

Nomor Bagian: Ampleon BLP15M9S70 Tipe Perangkat: Transistor Daya RF LDMOS saluran-N, teknologi generasi ke-9, suplai 32V, broadband (1MHz–2GHz), dioptimalkan untuk amplifier daya RF ISM/siaran/tujuan umum. 1. Spesifikasi Utama Pabrikan: Ampeon...

3,6PF 0603 ±0,25pf 250V

Nomor Bagian:600S3R6CT250XT Pabrikan：Keramik Teknis Amerika (ATC, sekarang KYOCERA AVX) Kategori：ESR Ultra-Rendah, Q Tinggi, NPO (C0G) Kapasitor Keramik Multilapis (MLCC) untuk RF/Microwave Spesifikasi Kapasitansi: 3,6 pF Toleransi: ±0,25 pF Nilai...

Kapasitor chip keramik multi-lapis RF tinggi

Info Dasar Pabrikan: ATC (American Technical Ceramics), merek KYOCERA AVX Jenis Produk: Kapasitor Chip Keramik Multilapis RF Tinggi-Q Seri: Seri Superchip Porselen 100A Nomor Bagian: 100A5R1BW150XT Penjelasan Nomor Bagian 100A: Seri kapasitor RF Q...

BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-552AVT adalah transistor Daya LDMOS BLC10G18XS-552AVT adalah transistor daya Doherty asimetris LDMOS generasi ke-10 dari Ampleon (Belanda), yang dioptimalkan untuk amplifier daya akhir stasiun pangkalan makro 4G/5G pada pita 1805–1880 MHz...

BLC10G22XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G22XS-600AVT adalah transistor Daya LDMOS BLC10G22XS-600AVT adalah transistor daya Doherty asimetris LDMOS generasi ke-10 dari Ampleon, yang beroperasi pada 2110～2170 MHz. Dioptimalkan untuk base station makro 4G/5G dan amplifier daya akhir...

B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC

MMIC Doherty 2 tahap B10G2527N10DL adalah amplifier Doherty MMIC 2 tahap yang terintegrasi penuh berdasarkan teknologi LDMOS canggih dari Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan pita menengah 5G NR 2500–2700MHz (2,5–2,7GHz), sistem komunikasi...

Transistor Daya RF Gallium Nitrida C4H2350N10Z

Model: C4H2350N10Z (Model Dasar: C4H2350N10) Pabrikan: Ampeon Tipe Produk: Transistor Daya RF Gallium Nitrida (GaN) (Desain Gerbang Tunggal, Dioptimalkan untuk Aplikasi Broadband) Spesifikasi Utama Fitur & Manfaat Cakupan Bandwidth Ultra Lebar:...

GAN MOSFET RF C4H2327N55PZ

Transistor Daya GaN Model: C4H2327N55Pz (Model Standar: C4H2327N55PZ) Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Transistor Daya RF Doherty yang Dikemas Gallium Nitrida (GaN) (Dioptimalkan untuk Aplikasi Stasiun Pangkalan Broadband 2,3–2,69 GHz) Spesifikasi...

BLM9D2527-09AMZ Transistor LDMOS Daya

MMIC Doherty 2 Tahap Model: BLM9D2527-09AMZ (Model Standar: BLM9D2527-09AM, Z menunjukkan Kemasan Tape & Reel) Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Amplifier Daya RF Doherty MMIC 2 Tahap 28V LDMOS Generasi ke-9 (Dioptimalkan untuk Aplikasi Tahap...

Penguat RF AMPLEON BLM9D2324-08AMZ

MMIC Doherty 2 tahap Model: BLM9D2324-08AMZ (Model Standar: BLM9D2324-08AM, Z menunjukkan Kemasan Tape & Reel) Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Amplifier Daya RF Doherty MMIC 2 Tahap 28V LDMOS Generasi ke-9 (Dioptimalkan untuk Aplikasi Tahap...

Penguat Daya RF B10G3336N16DL

B10G3336N16DL adalah MMIC Doherty 2 Tahap Model: B10G3336N16DL Pabrikan: Ampeon Tipe Produk: LDMOS 28V Generasi ke-10 3 tahap Doherty MMIC RF Power Amplifier yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,3–3,6GHz (mencakup pita frekuensi...

Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ

BLM9D3842-16AM LDMOS 3 tahap Doherty MMIC terintegrasi Model: BLM9D3842-16AMZ Pabrikan: Ampeon Tipe Produk: LDMOS 28V Generasi ke-9 3 tahap Doherty MMIC RF Power Amplifier yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,8–4,2GHz (mencakup...

BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ Penguat Daya RF

BLM9D3438-16AM LDMOS 3 tahap Doherty MMIC terintegrasi Model: BLM9D3740-16AM Pabrikan: Ampeon Tipe Produk: LDMOS 28V Generasi ke-9 3 tahap Doherty MMIC RF Power Amplifier yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,7–4,0GHz (mencakup...

BLP05H9S500P RF MOSFET LDMOS

Model: BLP05H9S500P Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Transistor Daya LDMOS Dorong-Tarik, dioptimalkan untuk pita ISM 423–443MHz (frekuensi inti untuk aplikasi Industri, Ilmiah, dan Medis, mencakup komunikasi nirkabel arus utama 433MHz dan frekuensi...

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 adalah transistor daya RF LDMOS 250 W yang diproduksi oleh Ampleon, dirancang khusus untuk aplikasi gelombang kontinu (CW) berdaya tinggi pada 2400–2500 MHz (pita ISM 2,45 GHz). Itu dikemas dalam paket plastik berkinerja tinggi...

CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

Nomor Bagian:CLL3H0914LS-700U Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：L-band, 700W GaN‑SiC HEMT (Gallium Nitride Silicon Carbide High Electron Mobility Transistor), jaringan stabilitas + pra-cocok internal, 0,9–1,4 GHz, paket flensa tanpa telinga, radar...