Semua produk

Transistor MOSFET RF BLM10D1822-61ABG

Transistor MOSFET RF BLM10D1822-61ABG Pita Frekuensi 1800 hingga 2200 Mhz Chip Driver Broadband 1800to2200mhz Nomor Bagian:BLM10D1822-61ABG Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS generasi ke-10, MMIC daya linearitas tinggi terintegrasi saluran ganda...

Kapasitor keramik satu lapis yang dipasang di permukaan seri SS

Kapasitor Lapisan Tunggal Kapasitor keramik satu lapis yang dipasang di permukaan seri SS Kapasitor keramik satu lapis pemasangan di permukaan seri SS mengadopsi struktur SMD kompak, menampilkan ESL ultra-rendah, kehilangan penyisipan rendah, dan...

Kapasitor dielektrik keramik satu lapis

Kapasitor Lapisan Tunggal Kapasitor dielektrik keramik satu lapis tipe susunan seri SA Aplikasi Produk Ini diterapkan di sirkuit decoupling, sirkuit bypass RF, sirkuit pemblokiran DC, dll. pada frekuensi radio/frekuensi gelombang mikro. Fitur produk...

BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS

Nomor Bagian: BLC9H10XS-600A Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：Transistor daya RF LDMOS 48V generasi ke-9, desain Doherty asimetris, dengan pencocokan input 50Ω terintegrasi, dioptimalkan untuk amplifier akhir stasiun pangkalan makro sub‑1GHz...

BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50V SOT1273

Nomor Bagian: BLC9H10XS-60PY Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS generasi ke-9, transistor daya simetris 60W, 400–1000 MHz sub‑1GHz, amplifier linier kelas AB, tahap final/driver daya menengah untuk keperluan umum (versi BLC9H10XS-60P bebas...

Transistor MOSFET RF BLM9H0610S-60PG

Nomor Bagian: BLM9H0610S-60PG Pabrikan：Ampleon Jenis Perangkat: LDMOS tegangan tinggi generasi ke-9, MMIC daya 2 tahap dua bagian, dengan pencocokan on-chip, dioptimalkan untuk driver stasiun pangkalan makro sub-1GHz 4G/5G atau amplifier akhir sel...

BLM2425M7S60PY LDMOS MMIC daya 2 tahap

BLM2425M7S60P adalah transistor daya LDMOS RF 60W yang diluncurkan oleh Ampleon. Mengadopsi proses RF generasi M7, produk ini secara khusus dikembangkan untuk aplikasi daya tinggi gelombang kontinu (CW) pada 2400–2500MHz (pita ISM 2,45GHz). Ini...

BLM8G0710S-30PBG RF TRANSISTOR EFEK Medan SINYAL KECIL

Nomor Bagian: BLM8G0710S-30PBG Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS generasi ke-8, MMIC daya dua tahap 2 tahap, 700–1000 MHz sub‑1GHz, driver linearitas tinggi kelas 30W/penguat akhir sel kecil (BLM8G0710S-30PB versi utama sayap camar). Spesifikasi...

BLC9H10XS-505AZ RF MOSFET LDMOS

Nomor Bagian: BLC9H10XS-505AZ Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat: Transistor daya RF LDMOS 48V generasi ke-9, desain Doherty asimetris, dengan pencocokan input 50Ω terintegrasi, dioptimalkan untuk amplifier akhir stasiun pangkalan makro sub-1GHz 4G/5G...

BLP9H10S-350A RF MOSFET LDMOS 48V

Merek & Model：Ampleon BLP9H10S-350A Tipe Perangkat：Doherty Asimetris, Cocok Secara Internal, Transistor Daya RF LDMOS N-Channel Paket: OMP780-4F-1 (paket keramik 7-pin, pembuangan panas tinggi) Rentang Frekuensi：600MHz ~ 960MHz Tegangan Pasokan:...

C4H18W500A MOSFET RF 48V

Nomor Bagian：C4H18W500A Pabrikan：Ampleon Jenis Perangkat：GaN (Gallium Nitride), transistor daya Doherty asimetris, 1800–2000 MHz, daya puncak 500 W, khusus untuk amplifikasi tahap akhir RF stasiun pangkalan makro 4G/5G. Spesifikasi Utama...

BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS

Nomor Bagian: BLC9H10XS-606A Pabrikan: Ampeon Jenis Perangkat: Transistor daya RF LDMOS 48V generasi ke-9, desain Doherty asimetris dengan pencocokan input terintegrasi, dioptimalkan untuk penguat daya akhir stasiun pangkalan sub-1GHz 4G/5G....

BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258

Nomor Bagian:BLC10G22XS-570AVT Pabrikan：Ampleon Jenis Perangkat：LDMOS, transistor daya Doherty RF asimetris 30V Aplikasi：Penguat daya akhir untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G AAU & RRU, 2110～2180 MHz（n1/n3/B1/B3 band） Spesifikasi...

LDMOS BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET

Nomor Bagian: BLC9H10XS-606A Pabrikan: Ampeon Jenis Perangkat: Transistor daya RF LDMOS 48V generasi ke-9, desain Doherty asimetris dengan pencocokan input terintegrasi, dioptimalkan untuk penguat daya akhir stasiun pangkalan sub-1GHz 4G/5G....

AMPLEON BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS

Nomor Bagian: BLC9H10XS-606A Pabrikan: Ampeon Jenis Perangkat: Transistor daya RF LDMOS 48V generasi ke-9, desain Doherty asimetris dengan pencocokan input terintegrasi, dioptimalkan untuk penguat daya akhir stasiun pangkalan sub-1GHz 4G/5G....

BLM9D2022-08AMZ 2 tahap Doherty LDMOS MMIC terintegrasi penuh

MMIC Doherty 2 Tahap LDMOS 2 tahap Doherty MMIC terintegrasi BLM9D2022-08AMZ adalah power amplifier Doherty LDMOS MMIC 2 tahap terintegrasi penuh dari Ampleon, dibuat menggunakan teknologi LDMOS Gen9, dioptimalkan untuk pita frekuensi 2110–2170 MHz...

B10G3438N55D B10G3438N55DZ RF MOSFET LDMOS

MMIC Doherty 2 Tahap Model: B10G3438N55D Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Amplifier Daya RF Doherty MMIC Doherty Asimetris 3 tahap LDMOS 50V Generasi ke-10, dioptimalkan untuk pita 3,4–3,8GHz (mencakup pita inti 5G NR n78 dan pita frekuensi tinggi 4G...

BLM9D1819-08AMZ 2 tahap Doherty MMIC terintegrasi penuh

MMIC Doherty 2 Tahap Nomor Bagian: BLM9D1819-08AMZ (juga disebut sebagai BLM9D1819-08AM; akhiran Z menunjukkan kemasan pita dan gulungan) Pabrikan: Ampeon Tipe Perangkat: LDMOS generasi ke-9, MMIC Doherty terintegrasi penuh 2 tahap Aplikasi Target:...

B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh

MMIC Doherty 2 tahap Nomor Bagian:B10G2022N10DL Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：2 tahap 10W Doherty MMIC (LDMOS) terintegrasi penuh, 2110–2170 MHz (5G n1/4G B1), amplifier final sel kecil / mMIMO, solusi efisiensi tinggi integrasi tinggiAmpleon....

BLC10G22XS-551AVT RF MOSFET LDMOS32V

Transistor LDMOS Daya BLC10G22XS-551AVT adalah transistor daya LDMOS berkinerja tinggi yang diproduksi oleh Ampleon, dioptimalkan untuk aplikasi penguat daya RF stasiun pangkalan dan multi-carrier di pita frekuensi 2.2GHz. Bertempat dalam paket...

BLC10G18XS-301AVT RF MOSFET LDMOS

LDMOS Daya HF/VHF BLC10G18XS-301AVT adalah transistor daya LDMOS RF berbasis silikon generasi ke-10 yang diproduksi oleh Ampleon dari Belanda. Ini mengadopsi arsitektur pencocokan internal Doherty asimetris, beroperasi pada 1805–1880 MHz, kompatibel...

BLC10G18XS-551AVT RF MOSFET LDMOS

Transistor LDMOS Daya BLC10G18XS-551AVT adalah transistor daya Doherty LDMOS asimetris dari Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G 1805–1880MHz (1,8GHz) dan amplifier daya RF multi-carrier. Bertempat di paket SOT1258-4, ia...

BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

Transistor LDMOS Daya BLC10G18XS-400AVT adalah transistor daya Doherty LDMOS asimetris dari Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G 1805–1880MHz (1,8GHz) dan amplifier daya RF multi-carrier. Bertempat di paket SOT1258-4 (plastik...

BLC10G19XS-601AVTZ RF MOSFET LDMOS 30V

LDMOS Daya HF/VHF Nomor Bagian：BLC10G19XS-601AVT（akhiran Z/Y: BLC10G19XS-601AVTZ） Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS, transistor daya Doherty asimetris, 1,93–1,995 GHz, daya puncak 650 W, khusus untuk stasiun pangkalan makro/amplifikasi tahap...