Semua produk

BLC9G21LS-60AVZ RF MOSFET LDMOS

Transistor LDMOS Daya BLC9G21LS-60AVZ adalah transistor daya RF LDMOS saluran N ganda yang didasarkan pada teknologi LDMOS Gen9 Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun induk 4G/5G 1805–2200MHz (1,8–2,2GHz), sistem komunikasi multi-operator, dan...

Transistor RF MOSFET BLC10G27XS-551AVT

Transistor LDMOS Daya Model: BLC10G27XS-551AVT Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Transistor Daya Doherty Asimetris yang Dikemas LDMOS 28V Generasi ke-10, dioptimalkan untuk aplikasi amplifikasi daya tahap akhir stasiun pangkalan makro 2,62–2,69GHz 5G...

BLC10G16XS-600AVT RF MOSFET LDMOS 32V

LDMOS DAYA HF/VHF Nomor Bagian: BLC10G16XS-600AVT Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS, transistor daya Doherty asimetris, 1,427–1,518 GHz, kelas 600W, khusus untuk amplifikasi tahap akhir RF stasiun pangkalan makro. Spesifikasi Utama (Tcase=25°C,...

BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS

Transistor LDMOS Daya BLC10G18XS-360AVT adalah transistor daya RF Doherty LDMOS asimetris dari Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G 1805–1880MHz (1,8GHz) dan amplifier daya multi-carrier. Bertempat di paket SOT1258-4 (tanpa...

Transistor RF MOSFET BLC10G27XS-400AVTZ

Transistor LDMOS Daya Model: BLC10G27XS-400AVT (Model Standar: BLC10G27XS-400AVTZ, Kemasan Tape & Reel) Pabrikan: Ampeon Tipe Produk: Transistor Daya RF Doherty Asimetris Paket LDMOS 28V Generasi ke-9 (Dioptimalkan untuk Aplikasi Multi-Pembawa...

BLC10G19XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

LDMOS Daya HF/VHF BLC10G19XS-600AVT adalah transistor daya Doherty asimetris LDMOS generasi ke-10 dari Ampleon, yang beroperasi pada 1930～1995 MHz. Dioptimalkan untuk base station makro 4G/5G dan amplifier daya akhir mMIMO, produk ini menghasilkan...

BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS

LDMOS Daya HF/VHF BLC10G19XS-551AV adalah transistor daya LDMOS RF berbasis silikon generasi ke-10 yang diproduksi oleh Ampleon (Belanda), dioptimalkan untuk amplifier daya Doherty asimetris di stasiun pangkalan makro 4G LTE dan 5G NR yang...

BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258

LDMOS DAYA VHF BLC10G22XS-602AVT adalah transistor daya RF LDMOS generasi ke-10 yang diproduksi oleh Ampleon (Belanda), dioptimalkan untuk aplikasi multi-carrier stasiun pangkalan makro 4G LTE dan 5G NR pada pita 2110–2170 MHz (2,1 GHz). Ini...

BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS

LDMOS DAYA HF/VHF BLC10G18XS-602AVT adalah transistor daya LDMOS RF berkinerja tinggi yang diproduksi oleh Ampleon, dirancang untuk aplikasi stasiun pangkalan makro dalam rentang frekuensi 1805–1880 MHz (pita 1,8 GHz). Ini memberikan daya puncak...

Transistor LDMOS Daya BLC10G22XS-400AVT

Transistor LDMOS Daya BLC10G22XS-400AVT adalah transistor daya Doherty LDMOS asimetris dari Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G 2110–2200MHz (2,2GHz) dan amplifier daya RF multi-carrier. Bertempat di paket SOT1258-4, ia...

BLC10G22XS-603AVT RF MOSFET LDMOS 30V

LDMOS DAYA HF/VHF Nomor Bagian：BLC10G22XS-603AVT（akhiran Z/Y: BLC10G22XS-603AVTY） Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS, transistor daya Doherty asimetris, 2,11–2,17 GHz, daya puncak 600 W, khusus untuk amplifikasi tahap akhir RF stasiun pangkalan...

BLF974P BLF974PU LDMOS Daya Tinggi

BLF974P, Ampleon, Transistor Daya RF LDMOS Broadband HF/VHF 500W, Teknologi LDMOS Canggih 50V, Cakupan Frekuensi Ultra Lebar 10kHz-700MHz, Komponen Daya Tinggi Khusus Siaran/Industri/Ilmiah/Medis (ISM), Penguat Daya RF dengan Perlindungan ESD Bawaan...

BLP9H10-30G RF MOSFET LDMOS

Nomor Bagian:BLP9H10-30G Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：Transistor daya RF LDMOS 50V generasi ke-9, 30W, kemasan plastik, dioptimalkan untuk driver stasiun pangkalan sub‑1GHz 4G/3G/2G atau amplifier akhir berdaya rendah. Spesifikasi Utama Rentang...

BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6

Deskripsi Umum BLC10G22XS-301AVT adalah transistor Doherty LDMOS asimetris 300W P1dB dari proses generasi ke-10 (GEN10) Ampleon, yang beroperasi pada 2110–2170MHz (5G n1/n66, 4G B1/B66). Bertempat dalam paket SOT1275-1 yang ditingkatkan secara...

GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

Nomor Bagian：CLL3H0914L-700 Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：L-band, 700W GaN‑SiC HEMT (Gallium Nitride Silicon Carbide High Electron Mobility Transistor), pra-pencocokan internal, 0,9–1,4 GHz, radar pulsa/transistor tahap akhir berdaya tinggi...

BLF188XR RF MOSFET LDMOS 50V CDFM4

Produk Aplikasi BLF188XR BLF188XR adalah transistor daya LDMOS RF 1400W yang diproduksi oleh Ampleon (sebelumnya NXP), beroperasi pada rentang frekuensi HF ~ 600 MHz. Hal ini terutama diterapkan pada amplifier daya RF berdaya tinggi untuk bidang...

BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON generasi ke-9

BLM9D1822-30BZ adalah MMIC Doherty terintegrasi 2 tahap LDMOS generasi ke-9 dari Ampleon (Belanda), yang dioptimalkan untuk sel kecil 4G/5G, tahapan driver stasiun pangkalan makro, dan amplifikasi RF umum pada pita 1,8–2,2 GHz. Ia menawarkan...

BLM8G0710S-15PB MMIC daya bagian ganda 2 tahap

Nomor Bagian: BLM8G0710S-15PB Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS generasi ke-8, MMIC daya 2 tahap/dua bagian, 700–1000 MHz sub‑1GHz, driver serbaguna kelas 15W/penguat akhir sel kecil. Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=28V, 1‑carrier W‑CDMA)...

B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS

Nomor Bagian:B11G1822N60D Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS, MMIC Doherty dua tahap 2 tahap terintegrasi penuh, 1,8–2,2 GHz, daya linier 60 W, stasiun pangkalan makro / amplifier driver serbaguna mMIMO 5GAmpleon. Spesifikasi Utama (Tcase=25°C,...

C4H18W500A MOSFET RF 48V SOT1273

Nomor Bagian：C4H18W500A Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：Gallium Nitrida（GaN）HEMT, transistor daya RF Doherty asimetris 48V Aplikasi：Penguat daya akhir untuk stasiun pangkalan makro 4G / 5G AAU & RRU, 1800～2000 MHz Spesifikasi Utama Rentang...

BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V

Nomor Bagian: BLC10G15XS-301AVT Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS generasi ke-10, transistor daya RF Doherty asimetris 30V Pita Frekuensi：1452～1492 MHz（pita 5G n5 / 4G B5） Aplikasi: Penguat daya akhir untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G AAU...

BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS 48V

Nomor Bagian : BLC9H10XS-606A Pabrikan : Ampeon Tipe Perangkat : Transistor daya RF LDMOS 48V generasi ke-9, desain Doherty asimetris dengan pencocokan input terintegrasi, dioptimalkan untuk penguat daya akhir stasiun pangkalan sub-1GHz 4G/5G....

ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF

ART1K9FHU adalah transistor RF LDMOS daya puncak 1900 W yang diproduksi oleh Ampleon berdasarkan Advanced Rugged Technology (ART). Ini dirancang khusus untuk ISM 1 MHz–500 MHz (frekuensi rendah hingga pita VHF), aplikasi penyiaran dan komunikasi,...

Transistor MOSFET RF BLF989E

BLF989E adalah transistor RF LDMOS daya puncak 1000 W yang diproduksi oleh Ampleon, mengadopsi teknologi proses LDMOS tegangan tinggi (50V) generasi ke-9. Ini dirancang khusus untuk aplikasi pemancar Doherty siaran asimetris 400–860 MHz (pita UHF),...